Subcapter 3.7 - 3.8

Tujuan :

Mengetahui fungsi komponen yang digunakan.
Mengetahui prinsip kerja Transistor Bipolar.
Membuat rangkaian transistor Bipolar pada aplikasi Proteus.

Alat Dan Bahan

Baterai 12 V

Merupakan penyuplai energi berupa listrik

Ground

1. Single Grounding
Yaitu dengan menancapkan sebuah batang logam atau pasak biasanya di pasang tegak lurus masuk kedalam tanah. Ada juga yang menggunakan pipa galvanis yang di dalamnya di isi dengan kabel BC, kemudian di hubungkan dengan kabel penyalur melalui bak kontrol.

2. Pararel Grounding

Bila sistem single grounding masih mendapatkan hasil kurang baik, maka perlu di tambahkan material logam arus pelepas ke dalam tanah yang jarak antara batang logam atau material minimal 2 meter dan dihubungkan dengan kabel BC/BCC.
Penambahan batang logam atau material dapat juga di tanam mendatar dengan kedalaman tertentu, bisa juga mengelilingi bangunan membentuk cincin atau cakar ayam. Kedua teknik ini bisa juga di terapkan secara bersamaan dengan acuan tahanan sebaran/resistansi kurang dari 5 Ohm setelah pengukuran dengan Earth Tester Ground.

3. Maksimum Ground

Maksimum grounding yaitu dengan memasukkan bahan grounding penangkal petir dalam bentuk lembaran tembaga yang diikat oleh kabel BC, serta dengan memasukkan larutan bentonite pada titik grounding penangkal petir tersebut. Hal ini dengan tujuan untuk meningkatkan serta menjaga kualitas resistensi grounding. Biasanya material ini di gunkan pada daerah yang tekstur tanahnya keras atau berbatu.

Transistor NPN
        1. Bi-Polar NPN Transistor
          2. DC Current Gain (hFE) is 800 maximum
          3. Continuous Collector current (IC) is 500mA
          4. Emitter Base Voltage (VBE) is 5V
          5. Base Current(IB) is 5mA maximum
         6. Available in To-92 Package

Resistor
          Menghambat daya

Dasar Teori

3.7 KONFIGURASI UMUM KOLEKTOR

Gambar 3.20 Notasi dan simbol yang digunakan dengan konfigurasi common-collector: (a) transistor pnp; (b) transistor npn.

Gambar 3.21 Kolektor umum

konfigurasi yang digunakan untuk

tujuan pencocokan impedansi.

Transistor dapat dibuat dalam tiga konfigurasi yaitu Common Emitter (CE), Common Collector (CC) , Common Base (CB). Common Emitter adalah memakai bersama kaki Emitter antara Input dan output

3.8 BATASAN PENGOPERASIAN

Adapun karakteristik Input-Output transistor konfigurasi Common Emitter adalah seperti gambar 3.22. Pada kurva karakteristik input dimana semakin besar VBE maka semakin besar IB dimana VBE maksimum untuk Si adalah 0,7 Volt dan Ge adalah 0,3 Volt. Pada kurva karakteristik output dibagi tiga operasi yaitu: 1. daerah saturasi (saturation region) yang artinya output menjadi cacat, 2. daerah aktif (active ragion) yang artinya output tidak cacat asalkan arus IB berfluktuasi masih dalam daera aktif. 3. Daerah cutoff yang artinya output akan terpotong.

Gambar 3.22 Mendefinisikan linier

wilayah operasi (tidak terdistorsi)

untuk transistor.

Tingkat disipasi maksimum ditentukan oleh persamaan berikut:

Untuk perangkat pada Gambar 3.22, disipasi daya kolektor ditentukan sebagai 300 mW. Pertanyaan kemudian muncul tentang bagaimana memplot kurva disipasi daya kolektor yang ditentukan oleh fakta bahwa

Pada titik mana pun pada karakteristik produk VCE dan IC harus sama dengan 300 mW. Jika kita memilih IC menjadi nilai maksimum 50 mA dan mensubstitusinya ke dalam hubungan di atas, kita memperoleh

hasil bahwa jika IC 50 mA, maka VCE 6 V pada kurva disipasi daya seperti yang ditunjukkan pada Gambar 3.22. Jika sekarang kita memilih VCE sebagai nilai maksimumnya 20 V, level IC adalah sebagai berikut:

menentukan titik kedua pada kurva daya. Jika sekarang kita memilih level IC di midrange seperti 25 mA, dan menyelesaikan level VCE yang dihasilkan, kami memperoleh